Proszek jednościennej nanorurki węglowej TF1010

TF1010 is an electronic-grade ultra-high-purity single-walled carbon nanotube powder prepared by Shandong Tanfeng using super-growth CVD coupled with multi-stage high-temperature deep purification and targeted catalytic impurity removal processes. It is the highest-purity model in the entire single-walled product line, forming a clear gradient distinction from the TF1000 basic single-walled type. The tube diameter is precisely controlled within a narrow distribution range of 1.5–1.7 nm, the pristine carbon tube length is >100 μm, the Raman G/D ratio is >50, a defekty węgla amorficznego w ściance rury są wyjątkowo niskie. Podstawowy wskaźnik zróżnicowany: efektywna czystość jednościennych rur węglowych jest większa lub równa 98,5%, znacznie wyższa niż 80% czystość TF1000. Popiół metalowy jest kontrolowany gradientowo do poziomu stu ppm, resztkowe zanieczyszczenia katalizatora są znacznie zmniejszone, zasadniczo unikając wycieków z urządzeń półprzewodnikowych, reakcji po stronie akumulatora i problemów z dryftem sygnału wykrywającego.

Bezszwowa rurowa struktura jednowarstwowego grafenu łączy w sobie balistyczne przewodzenie elektronów, bardzo wysoką elastyczność i bardzo dużą powierzchnię właściwą (500–1000 m²/g). Ilość dodatku perkolacyjnego może wynosić zaledwie 0,03%, tworząc sieć przewodzącą w całej domenie, odpowiednią dla zaawansowanych procesowych tranzystorów cienkowarstwowych o długości 7 nm i mniejszych, elastycznych obwodów logicznych, anod krzemowo-węglowych o wysokiej czystości, lekkich ekranów wojskowych i lotniczych, bioczujników śladowych o ultrawysokiej czułości i innych rygorystycznych scenariuszy o wysokiej precyzji.

Fabryka jest wyposażona w pełny zestaw sprzętu do testowania materiałów o wysokiej czystości, w tym wysokiej rozdzielczości TEM, spektroskopię Ramana, termograwimetrię TGA i ICP-OES. Do każdej partii wydawany jest pełny zestaw specjalnych raportów z badań dotyczących zawartości pojedynczych ścianek, zanieczyszczeń metalicznych, średnicy rurki i długości. Instytutom badawczym, przedsiębiorstwom produkującym półprzewodniki i wiodącym producentom akumulatorów półprzewodnikowych dostarczane są wyłącznie próbki o wysokiej czystości na poziomie gramów i partie pilotażowe na poziomie kilogramów. Modyfikowane proszki o wysokiej czystości z grupami aminowymi i karboksylowymi można dostosować do dyspersji woda/rozpuszczalnik organiczny. Pełny zestaw raportów specjalnych dotyczących zanieczyszczeń ICP o wysokiej czystości, RoHS i REACH oraz kart charakterystyki MSDS jest kompletny i spełnia rygorystyczne standardy kontroli dopuszczenia materiałów dla importu i eksportu materiałów wojskowych i półprzewodników.

Opakowanie: Worki próżniowe z folii aluminiowej, worki kompozytowe PE, worki tonowe, konfigurowalne

W 2022 roku firma zainwestowała 50 milionów RMB w utworzenie „Shandong Tanfeng New Materials Technology Co., Ltd.” w Heze w prowincji Shandong o powierzchni zabudowy 4000 metrów kwadratowych. Obecnie jest to krajowe przedsiębiorstwo high-tech z ponad dziesięcioma niezależnymi patentami.

Budowa drugiego etapu produkcji oraz centrum badawczo-rozwojowego planowana jest na rok 2027. Firma przeszła certyfikację międzynarodowego systemu jakości ISO9001 i utworzyła zaawansowane centrum produkcji i obsługi technicznej nanomateriałów obejmujące cały proces operacyjny, badania i rozwój, produkcję pilotażową i produkcję. Obecnie posiada kompletne linie produkcyjne proszku nanorurek węglowych, zawiesiny nanorurek węglowych, przedmieszki nanorurek węglowych, włókien nanorurek węglowych i folii nanorurek węglowych.

Posiadamy profesjonalne badania i certyfikaty. W przypadku nanorurek węglowych w skali prawdziwie nano technologia Tanfeng zapewnia dane charakteryzujące dla różnych modeli, takich jak obrazy SEM, obrazy AFM, obrazy HRTEM, spektroskopia Ramana i wzory dyfrakcji proszkowej promieni rentgenowskich.

Czystość jednościenna Większa lub równa 98,5%, wyjątkowo niska zawartość zanieczyszczeń i różnorodna zawartość rurek, dostosowująca się do wymagań współczynnika włączenia/wyłączenia urządzeń półprzewodnikowych

W porównaniu do jednościennej czystości TF1000 wynoszącej zaledwie 80%, TF1010 usuwa wielościenne rurki węglowe i amorficzne cząstki węgla poprzez wielostopniowe oczyszczanie, przy czym zanieczyszczenia fazowe stanowią mniej niż 1,5%. W przypadku zastosowania w cienkowarstwowych tranzystorach polowych współczynnik włączenia/wyłączenia urządzenia zwiększa się ponad 10-krotnie, bez wycieków i zniekształceń sygnału powodowanych przez różne metalowe lampy, dostosowując się do badań i rozwoju zaawansowanych układów scalonych na bazie węgla o długości 7 nm i mniejszych.

Dostępne trzy rodzaje popiołu metalicznego o bardzo niskiej zawartości, całkowicie rozwiązujące problem awarii związany z migracją jonów metali śladowych

Zapewnia trzy specyfikacje popiołu:<100 ppm / <500 ppm / <2000 ppm. Military and semiconductor chips can choose the ultra-pure grade within 100 ppm. Eliminates catalyst metal residue precipitating during device energization, avoiding wafer short circuits, continuous solid-state battery side reactions, and sensor baseline drift.

1.5–1.7 nm narrow tube diameter distribution + >Bardzo długie, nieskazitelne tuby o średnicy 100 μm, wyjątkowo niskie wypełnienie bez blokowania transmisji światła

Bardzo wysoki współczynnik kształtu na poziomie dziesięciu tysięcy, ilość dodatku przewodzącego tak niska jak 0,03%, dozowanie wypełniacza zmniejszone o kolejne 30% w porównaniu do TF1000 przy tym samym efekcie przewodzącym. Średnica tuby jest znacznie mniejsza niż długość fali światła widzialnego, tworząc przezroczyste folie przewodzące bez zamglenia i o wysokiej przepuszczalności, dostosowując się do masowej produkcji składanych ekranów i przezroczystych elektrod fotowoltaicznych.

Ultra-high crystallinity G/D >50, bardzo niewiele defektów strukturalnych ścian rur, maksymalna stabilność cyklu elektrochemicznego

Ścianki rurek grafenowych o niskiej defektach redukują reakcje uboczne na styku elektrolitu. Stosowane w anodach krzemowo-węglowych i akumulatorach półprzewodnikowych mogą znacznie tłumić ciągłe pogrubienie warstwy SEI, przy czym żywotność ogniwa jest dłuższa o ponad 35% w porównaniu z podstawowymi jednościennymi akumulatorami TF1000, dostosowując się do wysokiej klasy akumulatorów zasilających do pojazdów pasażerskich dalekiego zasięgu.

Potrafi kierunkowo oddzielać półprzewodnikowe jednościenne rury węglowe, podłoże rdzeniowe dla elastycznych chipów o małej mocy

Nieskazitelne, jednościenne surowce o wysokiej czystości ułatwiają późniejszą separację przez wirowanie w gradiencie gęstości, wytwarzając dużą część półprzewodnikowych jednościennych nanorurek węglowych o dużej ruchliwości nośnika i wyjątkowo niskim zużyciu energii przez urządzenie, co czyni je podstawowymi surowcami do elastycznych obwodów logicznych małej mocy nowej generacji i mikroukładów czujnikowych.

Bardzo duża powierzchnia właściwa 500–1000 m²/g, ultrawysoka czułość wychwytywania cząsteczek śladowych

Masywne elektrochemiczne miejsca aktywne o zdolnościach adsorpcji i rozpoznawania gazów, białek biologicznych i śladowych cząsteczek metali ciężkich znacznie przekraczających TF1000, dostosowujące się do medycznych bioczujników diagnostycznych i precyzyjnych sond do wykrywania śladowych zanieczyszczeń środowiska.

W pełni zgodny z wymogami wojskowymi i lotniczymi system o wysokiej czystości, lekkie, przewodzące i termoprzewodzące zintegrowane wzmocnienie konstrukcyjne

Formuły o niskiej zawartości zanieczyszczeń, nie wytrącające się, spełniają standardy akceptacji dla komponentów elektronicznych dla przemysłu lotniczego i wojskowego. Ekstremalnie niskie wypełnienie może osiągnąć potrójny efekt trwałej przewodności, ekranowania elektromagnetycznego i wzmocnienia strukturalnego, znacznie zmniejszając ciężar własny elementów satelity i samolotu.

1. Zaawansowane półprzewodniki na bazie węgla, cienkowarstwowe tranzystory polowe

Układy scalone procesu 7 nm i mniejsze, elastyczne układy logiczne, mikroobwody czujnikowe małej mocy; wyjątkowo wysoka czystość pojedynczych ścian zapewnia wysoki współczynnik włączenia/wyłączenia tranzystora i niski poziom wycieków, zastępując tradycyjne materiały na bazie krzemu w badaniach i rozwoju elektroniki mikronano po epoce Moore'a.

2. Lekkie, przewodzące materiały kompozytowe o ultrawysokiej czystości, przeznaczone do zastosowań wojskowych i lotniczych

Lekkie obudowy ekranujące elektromagnetyczne satelity, zintegrowane panele rozpraszające ciepło i przewodzące w samolotach, elektrody do wojskowych urządzeń magazynujących energię; niska zawartość zanieczyszczeń metalicznych spełnia długoterminowe standardy stabilnej pracy na orbicie komponentów wojskowych.

3. Wysokiej klasy anody krzemowo-węglowe, całkowicie półprzewodnikowe akumulatory siarczkowe

Dodatki przewodzące dedykowane do anod krzemowo-węglowych do wysokiej klasy elektroniki użytkowej i akumulatorów zasilających pojazdy osobowe dalekiego zasięgu; wyjątkowo niskie zanieczyszczenia tłumią samorozładowanie ogniw, bardzo długie rurki węglowe buforują rozszerzanie się objętości cząstek krzemu, znacznie wydłużając żywotność cyklu.

4. Elastyczne przezroczyste folie przewodzące o wysokiej przepuszczalności, składane panele wyświetlaczy OLED

Zastąpienie rzadkiego tlenku indu i cyny ITO, przygotowanie niezamglonych folii przewodzących o wysokiej przepuszczalności, dostosowanie do składanych ekranów dotykowych, przenośnych medycznych elektrod EKG i przezroczystych kolektorów prądu w ogniwach fotowoltaicznych, z tłumieniem rezystancji poniżej 3% po tysiącu zgięć.

5. Bardzo precyzyjne czujniki śladów biologicznych i środowiskowych

Czujniki do wykrywania białek medycznych, wykrywacze śladów gazów toksycznych w atmosferze, sondy do monitorowania metali ciężkich w wodzie; bardzo duża powierzchnia właściwa umożliwia rozpoznawanie cząsteczek śladowych na poziomie ppb, z czułością wykrywania lepszą niż podstawowy jednościenny TF1000.

6. Uniwersyteckie projekty badawcze dotyczące nanomateriałów o ultrawysokiej czystości

Próbki o wysokiej czystości przeznaczone do precyzyjnych prac badawczo-rozwojowych w laboratoriach, takich jak separacja chiralności w półprzewodnikach o pojedynczych ściankach, zaawansowane mechanizmy chipowe na bazie węgla, mechanizmy o długim cyklu pracy baterii półprzewodnikowych oraz lekkie materiały kompozytowe dla przemysłu lotniczego.

P1: Jakie są różnice w wyborze rdzenia między jednościennymi układami TF1010 o ultrawysokiej czystości a podstawowymi jednościennymi TF1000 i jaki powinien być wybór chipów półprzewodnikowych?

Odp.: Czystość pojedynczej ścianki TF1000 jest tylko większa lub równa 80%, odpowiednia dla anod krzemowo-węglowych, zwykłych elastycznych folii przewodzących i konwencjonalnych podstawowych badań i rozwoju laboratoryjnych; Czystość jednościenna TF1010 jest większa lub równa 98,5%, z popiołami metalowymi na poziomie zaledwie 100 ppm i bardzo małą liczbą różnych rurek i amorficznych zanieczyszczeń węglowych, szczególnie w przypadku półprzewodnikowych układów scalonych, zastosowań wojskowych i lotniczych, ultraprecyzyjnych biosensorów, wysokiej klasy akumulatorów półprzewodnikowych i innych scenariuszy z zerową tolerancją na zanieczyszczenia; aby uzyskać wysoką stabilność urządzenia, niski wyciek i długie cykle, należy wybrać TF1010.

P2: Do jakich scenariuszy dostosowują się odpowiednio trzy specyfikacje popiołu TF1010?

A: <100 ppm (military/semiconductor chip highest grade), <500 ppm (high-end solid-state batteries, medical sensors), <2000 ppm (high-end silicon-carbon anodes, commercial flexible screens), freely selectable according to downstream product impurity admission standards.

P3: Czystość pojedynczych ścianek TF1010 wynosząca 98,5%. Jak bardzo poprawia to współczynnik włączenia/wyłączenia tranzystora?

Odp.: Ponieważ TF1000 zawiera dużą liczbę wielościennych, różnorodnych lamp, współczynnik włączenia/wyłączenia tranzystora wynosi tylko 10³–10⁴; TF1010 zawiera niezwykle niewiele różnych zanieczyszczeń fazowych, a po oddzieleniu współczynnik włączenia/wyłączenia urządzenia z półprzewodnikową rurką węglową może osiągnąć ponad 10⁷, spełniając wymagania wydajnościowe zaawansowanych chipów procesowych.

P4: Kiedy TF1010 jest stosowany w akumulatorach półprzewodnikowych, o ile można zmniejszyć samorozładowanie ogniw w porównaniu do TF1000?

Odp.: Metalowe zanieczyszczenia katalityczne w TF1010 są znacznie zmniejszone, 30-dniowe tłumienie pojemności ogniw półprzewodnikowych w temperaturze pokojowej jest zmniejszone o 40%, a żywotność cyklu zwiększona o 35%, dostosowując się do pilotażowej masowej produkcji akumulatorów półprzewodnikowych dalekiego zasięgu dla producentów samochodów.

P5: Czy proszek TF1010 jest trudny do zdyspergowania i czy można go dostosować do zawiesin podtrzymujących litografię półprzewodnikową?

Odp.: Modyfikowany proszek TF1010 o wysokiej czystości aminowej można dostosować, dostosowując się do przeznaczonej do litografii dyspersji rozpuszczalników organicznych o niskim poziomie zanieczyszczeń, bez wytrącania się metali śladowych zanieczyszczających płytki; nasza firma może zapewnić rozwiązania w zakresie procesów dyspersji o niskim ścinaniu i wysokiej czystości.

P6: Czy w przypadku eksportowych projektów wojskowych i półprzewodnikowych TF1010 może wydawać specjalne raporty z testów zanieczyszczeń metalami o wysokiej czystości?

Odp.: Do każdej partii dołączony jest niezależny arkusz do badania popiołu o wysokiej czystości ICP-OES, dokładnie oznaczający zawartość resztkową różnych metali katalitycznych. Kompletny jest pełny zestaw dokumentów RoHS, REACH i MSDS, zgodny z audytami stron trzecich dotyczącymi importu i eksportu materiałów wojskowych i półprzewodników.

P7: Jaką przepuszczalność może osiągnąć TF1010 podczas przygotowywania przezroczystych folii przewodzących? Czy występują problemy z zamgleniem?

Odp.: Przepuszczalność filmu Większa lub równa 90%, zamglenie<1%, far superior to TF1000 basic single-walled, with no film surface graying or uneven transmittance caused by miscellaneous tubes, adapting to mass production of high-end foldable display panels.

Popularne Tagi: tf1010 jednościenny proszek nanorurki węglowej, Chiny tf1010 jednościenny proszek nanorurki węglowej producenci, dostawcy, fabryka, Woda nanorurki węglowej, CNT Nano, Funkcjonalizowane nanorurki węglowe COOH, SWCNT nanorurki z pojedynczym murem węglowym, Pojedyncze ściany CNT, Zigzag Nanotube